天成半导体在12英寸SiC领域取得新突破

2025年10月，天成半导体宣布在12英寸碳化硅研发上取得重大突破。依托自主研发的长晶设备，公司成功制备出高纯半绝缘型和N型12英寸SiC单晶。N型晶体有效厚度超过35mm，自研设备单晶最大可达350mm。同时，公司已掌握这两类单晶的成熟制备工艺。

 
该企业成立于2021年，深耕碳化硅衬底与长晶设备的研发制造，技术迭代节奏清晰：2022年实现6英寸SiC晶锭小批量生产；2023年突破8英寸技术；2024年实现8英寸量产，厚度均匀性误差控制在2微米以内。到2025年7月，率先攻克12英寸N型SiC核心工艺，创新电阻炉工艺突破行业生长速率瓶颈，显著降低微管密度，实现65%的良率。目前，公司已建立从单晶炉、粉料制备到大规模晶体生长与加工的完整生产线，实现SiC全流程技术自主可控，夯实第三代半导体衬底国产化的核心竞争力。