2025年6月24日，晶盛机电、浙江大学集成电路学院与浙江创芯签署战略合作协议，共同建设两大中心：先进集成电路装备及工艺联合研发中心、集成电路人才培养与技术创新校企协同中心，以产学研融合加速国产集成电路装备突破。   三方聚焦12英寸硅外延设备及工艺联合研发，建立人才引育机制，推动产教融合；整合晶盛机电产业化优势、浙江大学科研优势、浙江创芯平台转化优势，致力打造“基础研究—技术突破—成果转化—产业应用”闭环，突破装备瓶颈技术，培养复合型人才，增强行业核心竞争力。   晶盛机电是中国领先的半导体材料设备企业，在浙江大学集成电路学院拥有强大的科研实力，并依托浙江创芯运营省级12英寸集成电路创新平台；此前，晶盛曾牵头长三角硅片抛光技术联盟。本次合作将进一步推动设备国产化，助力降本增效（预计可降低约20%的成本），并帮助国内集成电路产业链实现自主可控。

2025年10月，天成半导体宣布在12英寸碳化硅研发上取得重大突破。依托自主研发的长晶设备，公司成功制备出高纯半绝缘型和N型12英寸SiC单晶。N型晶体有效厚度超过35mm，自研设备单晶最大可达350mm。同时，公司已掌握这两类单晶的成熟制备工艺。  该企业成立于2021年，深耕碳化硅衬底与长晶设备的研发制造，技术迭代节奏清晰：2022年实现6英寸SiC晶锭小批量生产；2023年突破8英寸技术；2024年实现8英寸量产，厚度均匀性误差控制在2微米以内。到2025年7月，率先攻克12英寸N型SiC核心工艺，创新电阻炉工艺突破行业生长速率瓶颈，显著降低微管密度，实现65%的良率。目前，公司已建立从单晶炉、粉料制备到大规模晶体生长与加工的完整生产线，实现SiC全流程技术自主可控，夯实第三代半导体衬底国产化的核心竞争力。

近日，国内半导体硅材料领域迎来重要布局。科研级硅投资40亿元在包头建设大型半导体单晶硅基地，建成后单晶硅年产量将超过1000吨，预计于2027年12月生效；  上海合晶拟募集不超过9亿元的增发资金，重点投向12英寸大硅片产业化项目，以助力国产替代。当前全球半导体硅片市场呈寡头格局，五大厂商合计占比约90%，并正加速先进切入工艺布局。中国目前正处于国产替代的关键时期，上海硅产业等企业正通过突破推动规模化产出。业内人士表示，该行业壁垒高、周期长，国内企业优化布局、与国际巨头同台竞争的态势将进一步加剧。国产替代进程将推动中国相关产业高质量发展